用語集
言葉の意味と、分析で読み違えやすい点を一緒に確認する。
ファブレス / Fabless
主に半導体を設計・販売し、ウエハ製造を外部に委託する事業形態。製品の種類ではなく、仕事の分担を表す。
分析での注意点
工場を持たなくても、開発費、製造枠の確保、在庫、品質・供給の負担は残る。
ASIC / Application-Specific Integrated Circuit
特定用途や顧客の要求に合わせて作り込む集積回路。CPUなどを内部に含むこともあり、ASICとCPUは排他的な分類ではない。
分析での注意点
専用回路の効率と、設計固定費・仕様変更の難しさ・必要数量を合わせて評価する。
ASSP / Application-Specific Standard Product
特定の用途を対象としつつ、複数顧客へ標準製品として販売する半導体。顧客専用の設計と比べ、開発費を多くの採用先で回収できる。
分析での注意点
標準品でも規格・互換性・ソフトウェア支援が重要。販売台数だけでなく単価と設計再利用を確認する。
SoC / System on Chip
演算、メモリー制御、通信等の複数機能をまとめた半導体。どの機能を統合するかは最終機器の要件で変わる。
分析での注意点
SoCの性能はCPUだけでは決まらない。メモリー、接続、ソフトウェア、電力条件も揃えて比較する。
EDA / Electronic Design Automation
電子回路やシステムの設計・検証・実装を支援するソフトウェア、ハードウェア等の道具。
分析での注意点
ウエハの生産量より顧客の開発活動に近いが、全製品が同じ収益認識・契約形態ではない。
半導体IP / Semiconductor Intellectual Property
他社がチップに組み込んで利用できる設計資産。CPU、GPU、接続、メモリー、セキュリティ等の機能がある。
分析での注意点
特許全般と同義ではない。実装範囲・製造対応・ソフトウェア・契約方式で経済価値が異なる。
ISA / Instruction Set Architecture
ソフトウェアがプロセッサーへ指示する命令や動作の規則。具体的な回路の作り方とは区別する。
分析での注意点
同じISAでも性能と電力は違う。仕様が公開でも、商用実装IPや検証・支援が無料とは限らない。
RTL / Register Transfer Level
データの保持と論理的な変換を記述するデジタル回路設計の表現。配置配線の前段で使う。
分析での注意点
RTL完成後も機能検証、物理設計、試作・認定が必要で、直ちに製品売上にはならない。
テープアウト / Tape-out
設計の最終確認を経て、製造に渡すデータを確定・出力する節目。
分析での注意点
量産開始と同義ではない。試作、顧客認定、設計やり直しの可能性と残る費用を確認する。
NRE / Non-Recurring Engineering
製品固有の開発・設計に必要な一回性の費用、またはその対価。量産品を一個ずつ販売する収入と区別する。
分析での注意点
NRE売上はそのまま利益ではない。開発原価、検収条件、追加修正の負担、量産移行を確認する。
ロイヤルティ / Royalty
IP等の利用条件に基づく対価。半導体IPでは、顧客チップの出荷数量や価値に連動する方式がある。
分析での注意点
契約ごとに方式が違う。新規ライセンスと量産出荷の時間差を考え、非開示料率を外部から決め付けない。
PPA / Power, Performance, Area
消費電力、性能、回路面積の設計指標。どれか一つを改善すると他が悪化するなどの制約がある。
分析での注意点
同じプロセス、電圧、処理条件で比較する。面積削減が常に総製造費の削減になるとは限らない。
FPGA / Field-Programmable Gate Array
製造後に論理回路の構成を設定できる半導体。仕様変更、試作、多品種用途などで柔軟性を持つ。
分析での注意点
ASICとの比較はチップ単価だけでなく、設計費、数量、電力、開発期間まで含める。
NoC / Network on Chip
SoC内部でCPU、メモリー等の機能ブロックを結ぶ通信の仕組み。
分析での注意点
演算器の数だけで性能を見ず、帯域、遅延、整合性、接続の検証負担を考える。
カスタムシリコン / Custom Silicon
顧客や用途固有の要件に合わせて設計する半導体。システム企業が仕様を持ち、専門設計企業と分業する場合もある。
分析での注意点
「内製」と「外部委託」は両立する。誰が仕様、IP、設計、製造、在庫を負担するかを分ける。
ハイパースケーラー / Hyperscaler
大規模なデータセンター群を使いクラウドやインターネットサービスを提供する企業を指す呼び方。厳密な法的区分ではない。
分析での注意点
設備投資には建屋や電力設備も含まれる。総額を半導体の購入金額と置き換えない。
IDM / Integrated Device Manufacturer
半導体の設計と製造を自社グループで行う企業モデル。外部ファウンドリや後工程企業も利用する場合がある。
分析での注意点
IDMか否かだけで全製品の内製率は分からない。製品・工程・年度別に確認する。
ファウンドリ / Foundry
顧客が設計した半導体を受託製造する事業。工程に合う設計ルールやモデルも提供する。
分析での注意点
先端ロジックだけではなくアナログ・電源・MEMS等も対象。ノード名だけで競争力を比較しない。
ウエハとダイ / Wafer / Die
ウエハは多数の回路を形成する円盤状の基板。ダイはウエハ上の個々の回路領域で、切り分けた半導体片も指す。
分析での注意点
ウエハ枚数、ダイ個数、ビット量は別単位。口径・ダイ面積・歩留まりで相互関係が変わる。
歩留まり / Yield
投入したウエハやチップのうち、必要な性能・品質条件を満たす良品が得られる割合。工程・検査段階で定義が異なる。
分析での注意点
前工程の良品率と積層・実装後の良品率を混ぜない。仕様や検査基準が違う数値の単純比較も避ける。
PDK / Process Design Kit
特定の製造工程で設計するための設計ルール、素子モデル等の一式。設計ツールと製造工程をつなぐ。
分析での注意点
PDK提供は顧客の商用量産や量産歩留まりの達成を意味しない。
プロセスノード / Process Node
半導体製造技術の世代を区分する名称。nmの名前が付くが、現代では単一の実測寸法をそのまま表すものではない。
分析での注意点
会社間で同じnm表記でも密度・性能・消費電力・コストは同じでない。用途と実製品で比較する。
DRAM / Dynamic Random Access Memory
電気的な状態を保持して作業中のデータを記憶するメモリ。情報を維持するため定期的な再書込みが必要で、電源を切ると保持できない。
分析での注意点
市場を見る単位はチップ個数だけでなくビット量。高容量化と製造原価/ビットを組み合わせる。
NANDフラッシュ / NAND Flash
電源がなくても情報を保持する不揮発性メモリ。SSDやスマホ等のデータ保存に使われ、3D NANDでは記憶セルを立体的に積む。
分析での注意点
積層数だけで原価や性能は決まらず、工程時間、ビット/セル、歩留まり、制御技術も関わる。
HBM / High Bandwidth Memory
複数のDRAMダイを積層し、多数の接続で演算チップへ広いデータ帯域を提供するメモリ。
分析での注意点
容量、帯域、積層数は別指標。HBM増産にはDRAM前工程に加え接続・実装と顧客認定が必要。
TSV / Through-Silicon Via
シリコンを貫通して上下を電気的につなぐ配線。積層チップの接続等で用いる。
分析での注意点
TSV形成、薄化、接合と最終実装を一つの工程と見なさない。各段階の能力と良品率を追う。
アナログ／ミックスドシグナル / Analog / Mixed Signal
連続的に変わる電圧等を扱うのがアナログ。デジタル回路と組み合わせ、実世界の信号と演算処理を結ぶものをミックスドシグナルと呼ぶ。
分析での注意点
微細化の速さだけで価値を測れない。精度、雑音、耐圧、温度安定性と用途の認定を重視する。
SiC／GaN / Silicon Carbide / Gallium Nitride
炭化ケイ素と窒化ガリウム。シリコンと性質の異なる半導体材料で、高電圧や高速電力変換等に応じて使い分ける。
分析での注意点
Siを全面的に置換するとは限らない。材料コスト、信頼性、冷却・磁性部品を含むシステム効率で判断する。
CMOSイメージセンサー / CMOS Image Sensor
光を電気信号に変える画素と、読み出し回路などを集積した画像用半導体。
分析での注意点
画素数、画素寸法、センサー全体の面積、積層数は別項目。カメラ台数だけではウエハ需要は決まらない。
MEMS / Micro-Electro-Mechanical Systems
微細な機械構造と電気機能を組み合わせる技術・素子。動き、圧力、音の測定や微小な機械動作に利用される。
分析での注意点
MEMSは製品・技術の分類であり、IDMやファウンドリと並ぶ事業モデルではない。
能力枠と購入額 / Capacity Entitlement / Purchases
能力枠は製造設備の生産能力を利用できる契約上の権利。購入額は実際に製品等を購入した金額。
分析での注意点
出資比率と能力枠が同率でも、工場稼働、製品構成、単価が変わるため購入比率には直結しない。
WFE / Wafer Fab Equipment
主にウエハ製造の前工程に使う装置を指す市場区分。
分析での注意点
工場建屋・インフラを含む設備投資や後工程・テスト装置と集計範囲を揃える。
スループット / Throughput
単位時間に処理できるウエハやデバイスの量。
分析での注意点
カタログ最大値と保守・搬送・処理条件を含む実効値は異なる。
プロセスウィンドウ / Process window
必要な品質を満たす工程条件の許容範囲。
分析での注意点
最高性能一点だけでなく、量産ばらつきを吸収する範囲と再現性を見る。
設置済み装置群 / Installed base
顧客工場などに導入され稼働・保守対象となる装置の集積。
分析での注意点
累積台数だけでなく実際の稼働、機種、寿命、サービス対象範囲が反復収入を左右する。
重ね合わせ / Overlay
異なる層のパターンを所定の位置へ合わせること、またはその位置ずれ。
分析での注意点
解像度が高くても層同士がずれると良品にならない。露光・ウエハ変形・計測を一体で見る。
コータ／デベロッパ / Coater / Developer
レジストの塗布、温度処理、現像などを行う装置群。
分析での注意点
露光スキャナとは別装置。EUV露光の採用とトラックの台数は一対一ではない。
原子層堆積 / Atomic Layer Deposition / ALD
前駆体と反応物を順番に導入し表面反応を繰り返して薄膜を作る方法。
分析での注意点
膜品質・立体面への被覆とサイクル時間の両方を見る。
エピタキシー / Epitaxy
基板の結晶に関係づけて結晶層を成長させる工程。
分析での注意点
Si、SiC、GaN等の材料と対象用途で装置市場を分ける。
選択比・選択性 / Etch selectivity
ある材料を他の材料に比べて選択的に除去できる性質。
分析での注意点
加工速度が速くても残す材料を傷めれば工程として採用できない。
アスペクト比 / Aspect ratio
穴や溝などの深さと幅の比。
分析での注意点
高いほど底への反応物供給や副生成物排出、膜の被覆が難しくなる。比だけで装置台数は決まらない。
アッシング／ストリップ / Ashing / Strip
加工後に不要となったレジストなどを除く工程。
分析での注意点
回路材料そのものを形作る主エッチングと市場を区別する。
CMP / Chemical Mechanical Polishing
化学的作用と機械的研磨を組み合わせて余剰材料を除去し表面を整える工程。
分析での注意点
装置、スラリー、パッド、洗浄が別の商流。ウエハ薄化の研削とも区別。
ドーズ / Implant dose
イオン注入で単位面積へ入れるイオンの総量。
分析での注意点
エネルギーやビーム電流とは別の量であり、単独では処理能力を決めない。
熱予算 / Thermal budget
材料・構造が許容できる熱履歴を温度と時間の組合せで捉える考え方。
分析での注意点
後工程ほど既存材料への影響が制約になり得る。最高温度だけの比較は不十分。
CD-SEM / Critical Dimension Scanning Electron Microscope
欠陥レビュー / Defect review
CD-SAXS / Critical Dimension Small Angle X-ray Scattering
X線の小角散乱を利用して微細な立体構造の寸法・形状情報を得る計測手法。
分析での注意点
測定信号からモデルで形状を解釈するため、速度・モデル妥当性・量産適合を確認する。
ATE / Automated Test Equipment
電気信号や電力を与え、半導体の機能・タイミング・電気特性を自動判定する装置。
分析での注意点
テスタ本体、接触機構、搬送装置を区別し、同時測定や試験時間を需要式に入れる。
プローブカード / Probe card
ウエハ上の多数の電極とテスタをつなぐ精密な接触インターフェース。
分析での注意点
新設計、端子配置、接触子寿命、製造歩留まりが需要・採算を変える。
KGD / Known Good Die / Device
後の組立に進める前に、定めた試験条件で良品と選別したダイまたはデバイス。
分析での注意点
不良ゼロの保証ではない。追加試験費と高価な実装品を不良化させる損失を比較する。
並列テスト / Multisite / Parallel test
複数のデバイスを同時に測定して単位時間の処理量を増やす方法。
分析での注意点
同時数の増加はテスト時間増の設備需要を相殺するが、電力・接触・計測資源が制約する。
IC・集積回路 / Integrated Circuit
営業レバレッジ / Operating leverage
売上依存度 / Customer concentration
マスフローコントローラー / Mass Flow Controller / MFC
ガス等の質量流量を測り、目標の流量になるよう調節する機器。
分析での注意点
圧力計とは機能が違う。装置台数だけでなくガスライン数、精度、応答性と採用機種を確認する。
ドライポンプ / Dry vacuum pump
処理ガスの排気経路に油を使わずに真空排気する方式のポンプ。
分析での注意点
メンテナンス不要という意味ではない。工程ガスや生成物、稼働状況によって保守・再生需要が変わる。
除害 / Abatement
製造工程から出る排ガス等を適切に処理するための機能・設備。
分析での注意点
真空を作る機能と同一ではない。処理ガス、消費電力、保守、規制への適合を分けて見る。
静電チャック / Electrostatic chuck / ESC
電気的な力を利用して、製造装置内のウエハを固定する部材。
分析での注意点
保持力だけでなく温度分布や純度が重要。AlN等の材料と複合構造、認定、再生・交換周期を確認する。
溶射 / Thermal spraying
材料粒子を溶融・軟化させて吹き付け、基材表面に皮膜を作る処理。
分析での注意点
部品の基材製造とは別の付加価値。新品への施工と再処理の量・採算を分ける。
FOUP / Front Opening Unified Pod
主に300mmウエハを収納し、清浄な状態で搬送・保管するための前面開閉式容器。
分析での注意点
容器メーカー、容器を運ぶAMHS、容器と装置を接続するロードポートは異なる階層。
EFEM / Equipment Front End Module
装置の前面でウエハを受け入れ、搬送や位置合わせを行うモジュール。
分析での注意点
ロボット単体とEFEM一式では搭載額・外部調達部品・粗利益が異なる。
AMHS / Automated Material Handling System
工場内で材料・搬送容器の移動や保管を自動化する仕組み。
分析での注意点
工場全体の大型案件と装置内ロボットの数量を重複集計しない。受注残の工期と施工採算を見る。
超純水 / Ultrapure water / UPW
半導体洗浄等の要求に合わせ、イオン・有機物・微粒子などを極めて少なくした水。
分析での注意点
一つの水質指標だけで評価しない。設備販売、運転・保守、水供給契約では収益と資本負担が違う。
FAE / Field Application Engineer
製品の選定、評価、設計や導入を顧客側で支援する技術者。
分析での注意点
設計支援の人数・案件数と量産売上は同じではない。採用が量産化する期間と支援費用を追う。
デザインイン / Design-in
顧客が開発する製品の設計に、特定の半導体や部品が採用されること。
分析での注意点
設計採用は量産開始や生涯売上の確約ではない。評価中、採用決定、量産を区別する。
顧客集中度 / Customer concentration
売り手の売上のうち、特定顧客または上位顧客が占める割合。
分析での注意点
売り手の依存度を示す。買い手の調達シェア、相互依存、契約の最低購入保証は別の証拠が必要。
シリコンウエハ / Silicon wafer
半導体回路を作る土台となる、高純度の単結晶シリコンを薄い円板へ加工したもの。
分析での注意点
同じ直径でも抵抗率・欠陥・表面処理・顧客認定で付加価値が異なる。数量に加え製品構成を確認する。
エピタキシャル成長 / Epitaxial growth
結晶の向きに沿って基板表面へ薄い結晶層を成長させる工程。基板本体とは異なる特性を層に持たせられる。
分析での注意点
ベア基板とエピウエハは同じ売価ではない。エピ工程の売上と基板売上の重複に注意する。
SOI / Silicon on Insulator
絶縁層の上に薄いシリコンの層を配置した基板。用途に合わせた電気特性を得る。
分析での注意点
通常の研磨ウエハとは構造・用途・供給技術が異なる。SOIを一括せずRF向け等の用途を見る。
化学増幅型レジスト / Chemically amplified resist
露光で生じた酸などを利用し、その後の反応を増幅して溶け方を変える感光材料。
分析での注意点
光源の世代、微細化、欠陥、感度の両立が開発負担と採用価値に結び付く。
PAG（光酸発生剤） / Photoacid generator
光を受けると酸を生じる材料。化学増幅型レジスト等を構成する重要な成分の一つ。
分析での注意点
PAGの材料メーカーと完成レジストメーカーを区別する。完成品の成長率がそのまま材料単価へ移るとは限らない。
マスクブランクス / Mask blanks
まだ回路パターンが書き込まれていない、フォトマスク用の基板と薄膜の組み合わせ。
分析での注意点
ブランクスの製造、パターン描画、顧客の露光工程は別の段階。EUV向けは特に欠陥管理が重要。
フォトマスク / Photomask
半導体回路のパターンを露光で転写するための原版。
分析での注意点
マスク需要はウエハ枚数だけでなく新設計・世代更新・マスク枚数に左右される。
電子工業用高純度薬品 / Electronic-grade high-purity chemicals
半導体の洗浄や加工向けに、不純物・微粒子等を厳しく管理した薬品。
分析での注意点
一般工業用の化学品市況と同一視しない。純化・分析・容器・輸送まで供給品質に含まれる。
プリカーサー（前駆体） / Precursor
成膜反応などで目的の薄膜を形成するために投入する元の分子・材料。
分析での注意点
ガスとして供給する場合も液体・固体を気化する場合もある。元素・膜・成膜装置との組み合わせで採用が決まる。
オンサイトガス供給 / On-site gas supply
顧客工場の近く、または敷地内の専用設備でガスを製造し、配管等で供給する方式。
分析での注意点
長期契約・設備投資と消費量の関係を見る。供給設備投資額は顧客向け年間売上ではない。
SiC / Silicon carbide
シリコンと炭素からなる化合物半導体材料。電力変換等に使う基板・エピ層・デバイスの各段階がある。
分析での注意点
市場拡大だけでなく良品歩留まり、150mmから200mmへの移行、価格、内製化、引取り契約を確認する。
OSAT / Outsourced Semiconductor Assembly and Test
半導体の組立・検査を外部から受託する事業モデル。
分析での注意点
製品名や工程名ではない。テスト専業や装置メーカーと区別する。
ダイ / Die
ウエハ上に形成した回路を一個のチップとして切り出したもの。
分析での注意点
完成パッケージと個数・単価・歩留まりの対象範囲が違う。
ワイヤボンディング / Wire bonding
細い金属線でダイの電極と外部の接続先をつなぐ方法。
分析での注意点
先端方式の拡大で全用途から直ちに消える技術ではない。
フリップチップ / Flip chip
チップの電極面を基板側へ向け、バンプ等を介して接続する実装方法。
分析での注意点
搭載方向を含む構造の名称で、特定会社の専用製品ではない。
バンプ / Bump
ダイやウエハの電極に形成する小さな接続用の突起。
分析での注意点
材質・ピッチ・接合方式で製造装置と材料需要が変わる。
再配線層 / Redistribution Layer / RDL
チップの電極位置から別の接続位置へ配線を引き回す層。
分析での注意点
ファンアウト等で重要だが、形成面積と層数の前提が必要。
インターポーザ / Interposer
複数のダイや接続階層の間を仲介する配線部材・構造。
分析での注意点
すべてシリコン製とは限らず、方式によって基板との役割分担が変わる。
チップレット / Chiplet
機能を分割した複数の小さなダイを組み合わせて使う設計・実装の考え方。
分析での注意点
ダイ製造費の利点と、接続・検査・放熱の追加コストを比較する。
アンダーフィル / Underfill
チップ下などの隙間へ充填し、接続部を補強する樹脂材料。
分析での注意点
流動性、硬化後応力、他材料との相性を同時に満たす必要がある。
DAF / Die Attach Film
ダイを基板や他のダイへ固定するフィルム状の接着材。
分析での注意点
保持後に剥がすダイシングテープと役割を区別する。複合製品もある。
ハイブリッドボンディング / Hybrid bonding
金属の電気接続と周囲の絶縁層の接合を組み合わせる高密度接続方式。
分析での注意点
熱圧着一般と同義ではない。表面状態や前処理・計測も量産性を左右する。
ABF / Ajinomoto Build-up Film
熱圧着接合 / Thermo-Compression Bonding / TCB
温度と圧力を制御して接続点をつなぐ接合技術。
分析での注意点
HBMやチップレットの方式・世代を確認して装置需要へ換算する。
良品ダイ / Known Good Die / KGD
所定の検査を通じて良品と判定されたダイ。
分析での注意点
検査で確認できる範囲は仕様次第。完成実装後の不良リスクがゼロになる意味ではない。
システムレベルテスト / System Level Test / SLT
実際のシステム利用に近い条件で半導体の動作を確認する検査。
分析での注意点
最終テストを一律に置き換えるものではなく、追加の検査時間も確認する。