SEMICONDUCTOR ATLAS

エッチング・レジスト除去:必要な形だけを残す

製造・検査装置

深い穴を掘る、薄い層を選んで除く、使い終えたレジストを落とす。似て見える除去工程を区別する。

  1. マスク・レジストで保護
  2. 反応種・プラズマ生成
  3. 選択・方向制御して除去
  4. 残渣・レジスト除去
  5. 洗浄・形状計測
01 初歩から理解する

エッチングは選んで除く加工

膜を付けた後、残したい場所をレジストなどで保護して、それ以外を取り除く。液体薬品を用いるウェットと、プラズマ等を用いるドライがある。どちらを使うかは形状、材料、損傷、処理速度に依存し、すべての除去を一つの方式で行うわけではない。

方向と材料を選ぶ

横にも同じように削ると細い形が崩れるため、狙った方向へ加工する異方性が必要な工程がある。また下地や側面を残し特定の材料だけを除く選択性が重要になる。プラズマのイオン、反応種、表面にできる保護層を調整して、形と残す材料の両方を制御する。

深い穴ほど単純でない

穴が深く細いと、反応物を底へ届け、生成物を外へ出すことが難しくなる。曲がり、太さのむら、底の残渣なども管理対象となる。3D NANDの深い加工と、MEMSで使うDRIEには関係する技術があっても、構造・材料・精度・必要数量は異なる。Lam、TEL、サムコ等の製品を用途単位で見る。

原子層エッチングと除去工程

原子層エッチングALEは表面の反応を段階的に制御し、少量ずつ除去する考え方である。微細な調整に有用でも、すべての厚い膜を同じ速度で削る方式と考えない。加工後のレジスト除去・アッシング・残渣洗浄は、回路材料の主加工とは別の仕事で、PSKなどの製品が関わる。

装置とレシピは一体で評価

同じチャンバー名でも、ガス、電力、圧力、温度、時間で結果は変わる。新材料で性能が出ても量産時の清掃頻度や部品摩耗、再現性が悪ければ生産性は上がらない。新工程採用の価値は、実験室の形状だけでなく良品数と安定運転で評価する。

02 業績分析へ進む

売上は何で決まるか

工程追加、加工時間増加、顧客の能力投資、チャンバーの増設・改造を分けて予測する。

費用と利益の構造

プラズマ源、真空、ガス供給、耐食部材と、継続的な工程開発・顧客支援が必要。顧客側は清掃停止や部品寿命も費用になる。

競争優位を見る

加工形状と選択性を量産で維持するレシピ、チャンバーの再現性、部品・保守の蓄積。

サイクルと時間差

メモリ投資の量的循環に加え、GAA等の材料選択加工や先端実装の新工程が異なる時期に動く。

確認するKPI

  • 用途・材料別採用
  • チャンバー稼働
  • 処理時間
  • 清掃・保守間隔
  • 良品率
03 誤解しやすい点・取材の問い

読み違えやすいこと

  • 深い穴の数と装置台数は一対一ではない
  • エッチングとレジスト除去は同じ市場ではない
  • 開発工程の選定は量産全工程採用を意味しない

確認したい問い

  • 処理時間長期化を新装置の速度向上がどれだけ相殺するか
  • 選択加工で成膜・洗浄の前後条件も変わるか
  • 試作・量産の条件差
  • メモリ段数と加工ステップ数の定義
出典 Lam Research · 公式資料東京エレクトロン · 公式資料サムコ · 公式資料PSK(SEMIの出展企業自社紹介) · 公式資料Lam Research · 2022-06-14

初歩の説明は技術・事業の一般的な仕組みです。業績分析の欄は分析上の着眼点であり、個社の感応度を保証するものではありません。

この工程に関わる企業

日本東証: 6387

サムコ

ALD・PECVD・ICP・RIE・DRIE・ALE・表面改質

日本親会社:東証 6501

日立ハイテク

CD-SEM・ウエハ表面・暗視野検査・導体エッチング

日本東証: 8035

東京エレクトロン

コータ/デベロッパ・プラズマエッチング・成膜・熱処理・洗浄

日本東証: 6590

芝浦メカトロニクス

ウエハ・マスク洗浄・ウェットエッチング・アッシング・ボンディング

韓国KOSDAQ: 319660

PSK

Dry Strip・Dry Cleaning・SUPRA

韓国非上場

SEMES

洗浄・塗布・現像・エッチング・EDS・実装関連

米国NASDAQ: LRCX

ラムリサーチ

プラズマエッチング・CVD・ALD・めっき・レジスト除去・洗浄

中国上海: 688012

中微公司

ドライエッチング・MOCVD

中国深圳: 002371

北方華創

エッチング・PVD・CVD・洗浄・熱処理

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