普通株式出資と設計・エンジニアリングの技術協業
2025-12-01公表の出資1件。協業は複数年。SEMICONDUCTOR ATLAS
取引・提携・出資
実際の取引、認定・共同開発、出資を分けて読む。金額は各事例の対象期間・定義で確認してください。
カスタムAIと光・電気接続等の半導体
2024-12-02公表の5年間契約購入条件と連動する新株予約権（ワラント）
発行2024-12-02、行使期限2031-12-02米国製の無線・RF等の半導体
2026-07-08公表の複数年契約。年次配分は非開示。Arm AGI CPUの共同開発
2026-03-24公表。複数世代での協業。Neoverse CSSを用いた2nm CPUチップレットPoC
2023-10-18公表時点の計画・協業2nmプロセスと先端パッケージを用いるCPUチップレットPoC
2023-10-18公表時点の計画・協業ウエハ製造・複数年購入契約
予定購入期間2022〜2025年。2021-12-23発表。HPC・FPGA・適応型SoC等のウエハ製造
2024年度の製造体制。資料提出2025-02-05。ゲーム用カスタムLSI等
2025-04-01〜2026-03-31（2026年3月期）任天堂向けマスクROM・フラッシュメモリー等
三者契約は2001-03-22締結、自動延長条項。2026-06-24資料で確認。先端プロセスの設計フロー認証・IP対応
2026-09-23公表AIアクセラレーター向け2nm GAA製造とI-Cube Sパッケージ
2024-07-09公表GB10 Grace Blackwell Superchipの共同設計
2025-01-06公表RF・構造等のマルチフィジックス解析
2026-08-04公表NAND共同開発・製造サービスと供給継続
2026年1月公表。対価は2026～2029年分割、JV期限は2034年12月末。HBM4ベースダイ・CoWoSとの統合
2024年4月公表時点のHBM4開発方針。NVIDIA H200向けHBM3E
2024年2月の発表。H200の当時の出荷計画は2024年4～6月。米国製造の12nm FinFET工程
2024年1月公表時点。2nmロジック技術
2022年12月13日協業発表、2025年7月18日Rapidus試作発表。HBM/PWF関連のファウンドリ協業
2026年3月16日公表。旧Vitesco向けSiCパワーデバイス
2023年6月契約発表、供給期間は2030年まで。Vitescoは2024年10月1日にSchaefflerへ合併。Si・SiCパワーモジュールとチップ
2023年10月18日公表、2030年まで。Si・SiCパワーモジュールとチップ
2023年10月18日公表、2030年まで。半導体の流通販売
2025年12月期。自動車システム向け半導体
2025年12月期。シンガポール300mm製造JV
2024年6月設立計画、NXPの2025年年次報告で持分再確認。製造JVへの出資・能力確保
2025年年次報告。初期生産目標2027年。130～40nm関連プロセスのライセンス・技術移管
2024年6月5日発表時点の計画。熊本の製造JV
2024年2月6日発表時点。取引完了条件付きの公表値。熊本の製造JV
2024年2月6日発表時点。取引完了条件付きの公表値。熊本の製造JV
2024年2月6日発表時点。取引完了条件付きの公表値。熊本の製造JV
2024年2月6日発表時点。取引完了条件付きの公表値。欧州300mm製造JVへの出資・能力枠
NXPの2025年年次報告。初期生産目標2028年。Carl Zeiss SMTへの少数持分出資
2016年11月の契約露光用光学系
2016年資料に記載の継続関係顧客共同投資・研究開発支援
2013～2017年向け研究開発拠出の公表顧客共同投資プログラム
2012年8月顧客共同投資プログラム
2012年8月ナノインプリントFPA-1200NZ2C
2017年7月、当時の東芝メモリ技術協業・量産支援
2024年半導体テスト関連の量産支援
2025年EPIC Center向け洗浄・表面処理の研究協力
2026年5月UltraFLEXplusとPrexa SDPの統合KGDテストセル
2026年6月AI/HPC向け次世代ダイレベルプローバ共同開発
2025年12月先端DRAMのドライレジスト下層膜・ドライ現像
2022年6月Qualcomm設計製品に起因する直接・間接テスト需要
Teradyne 2022年度CD-SAXSと解析ソフト等の次世代計測
2026年4月リガク株式の取得合意
2026年4月21日公表ガス・薬液供給等の装置用サブシステム（顧客別売上に製品別内訳なし）
Ichor FY2025：2025-12-26終了年度装置用ガス・薬液供給等（個別納入機種は金額表で非開示）
Ichor FY2025：2025-12-26終了年度装置サブシステム等（顧客別比率は連結合算）
UCT FY2025：2025-12-26終了年度装置サブシステム・部材等（顧客別比率は連結合算）
UCT FY2025：2025-12-26終了年度半導体向け流体制御部品群（受賞発表では納入製品・金額未開示）
Applied Materialsの2026-02-24発表工場の自動搬送・自動化（表彰対象）
村田機械2025-12-10発表JASM熊本第1工場のクリーンルーム・プロセス排気設備施工
大気社2024-03-21発表のJASM第1工場NVIDIA製品の販売・技術導入支援
公式製品ページおよび2026年の受賞発表を2026-09-26確認ルネサス製品の仕入・再販売に関する特約店契約
取引規模は2026年3月期、契約終了合意は2026-08-07ルネサス製品の特約店契約（過去の関係）
契約終了日2024-09-30、2026-05-15会社開示で経緯再確認PFASを含まない超純水配管材の共同実証
2022年11月から実証、2025-07-08に技術進展を公表新光商事株式の取得・子会社化
2026-08-10取得後の所有割合。2026-09-07開示150mm SiC基板
2024-04-22公表の複数年契約SiC基板・エピ事業への出資
2023-12-04の出資完了時点150mm・200mm SiC基板／エピウエハ
2023-12-04公表SiC基板・エピ事業への出資
2023-12-04の出資完了時点150mm・200mm SiC基板／エピウエハ
2023-12-04公表LEXUS RZ向けインバーター用SiCエピウエハ
2023-03-31公表200mmの貼り合わせSiC基板
2024-09-24公表半導体製造用CMPパッド
2025-10-07署名、2025-10-16公表窒素・酸素・アルゴン等の産業ガス
2025-04-29公表の拡張計画半導体用高純度ポリシリコン
2022年度の表彰、2023-07-07公表半導体用シリコンウエハ
2025年の表彰高純度窒素等のガス・供給設備
2024-02-19公表150mm・200mm SiC基板／エピウエハ
2023年原契約、2025年再編・評価見直し中国・厦門の半導体フォトマスク事業
2026-05-03までの期のForm 10-Q中国・厦門の半導体フォトマスク事業
2026-05-03までの期のForm 10-Q先端パッケージ・検査サービス
2026年6月16日発表の10年間の枠組みApple siliconの実装・検査（米アリゾナ施設計画）
2023年11月30日の施設計画発表時点蘇州・ペナンのATMP合弁会社群による組立・検査・マーキング・実装
AMD 2025年度（2025年12月27日終了）テラプローブの議決権保有
2025年12月31日時点半導体パッケージ基板
2025年4月11日の受賞発表3D IC向け基板設計データ・配線フロー
2023年9月27日発表3D IC向け基板設計データ・配線フロー
2023年9月27日発表3DFabric AllianceのOSAT連携
2026年9月26日閲覧時点の公式名簿高性能計算向けFC-BGA基板
2024年7月22日発表Besiへの戦略出資とハイブリッド接合の共同開発
2025年4月14日の取得発表時点2.5D・3D異種集積向けハイブリッド接合・マイクロバンプ熱圧着
2025年9月25日発表チップレット向けTCB・ハイブリッド接合
2024年7月24日発表US-JOINTによる材料・装置を組み合わせた先端実装開発
2024年7月8日のUS-JOINT発表US-JOINTの先端実装材料共同評価
2024年7月8日のUS-JOINT発表SiP-idの設計フロー
2026年9月26日閲覧時点のASE製品説明