AIXTRON

SiC、GaN、GaAs・InP等を対象とするエピタキシャル成長装置を持つ。シリコンの先端ロジック向け成膜と同じ需要曲線ではなく、電力・RF・光用途ごとに導入が動く。

材料、ウエハ径、一度の処理枚数、良品率が能力当たりコストを変える。市場拡大率だけで装置成長を推定しない。

業績ドライバー・競争優位・質問は、公開資料をもとにした分析の着眼点です。売買推奨や業績予想ではありません。

この版では相手先まで確認できた接続線を収録していません。取引がないという意味ではありません。