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用語の説明
添付資料の初学者向け説明を参照できるようにした索引です。学習本文では必要な言葉から順に説明を開けます。
電流・電圧・電荷
電流は電気の流れ、電圧はその流れを生じさせる電位の差、電荷は電気的性質の量。水にたとえるなら、流量・水圧差・水量に近い関係だが、厳密には別の物理量。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
半導体
電気の通しやすさを、材料への少量の添加や電圧などで調整できる物質。日常・業界では、その性質を使った電子部品も「半導体」と呼ぶ。
説明が登場する第1章「製品の役割」へ
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シリコン（Si）
元素「ケイ素」のこと。Siは化学記号。回路を作る代表的な半導体材料で、樹脂材料の「シリコーン」とは異なる。
説明が登場する第3章「原料・結晶」へ
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ウェーハ
回路をまとめて作り込むための薄い円板。代表例はシリコン製で、1枚の上に同じ回路を多数並べて製造する。
説明が登場する第3章「原料・結晶」へ
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ダイ
ウェーハ上に作る、1個分の回路領域。または切り分けた後の小片。チップも近い意味で使うが、完成した電子部品全体を指す場合もある。
説明が登場する第14章「ウェーハテスト」へ
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ファウンドリ
他社から預かった回路設計に基づき、半導体の製造を請け負う企業・事業。顧客の製造部門に相当する役割を担う。
説明が登場する第6章「製造を担う会社」へ
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IDM
設計・製造・販売を一体で行う半導体メーカー。Integrated Device Manufacturerの略で、一部の製造や組立を外部委託する場合もある。
説明が登場する第6章「製造を担う会社」へ
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実装
ダイや部品を所定の場所へ取り付け、電気的・機械的につなぎ、使える形にすること。単に「箱へ入れる」作業ではない。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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OSAT
Outsourced Semiconductor Assembly and Test。半導体の組立と検査を受託する企業。回路をウェーハへ作る会社とは役割が異なる。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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ファブレス
自社の半導体製造工場を持たず、設計や製品開発を担う企業。製造は外部の受託メーカーなどに依頼する。
説明が登場する第2章「設計・EDA・IP」へ
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nm・µm
nmはナノメートルで10億分の1m、µmはマイクロメートルで100万分の1m。1µm＝1,000nm。寸法の単位として使う。
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線幅
加工する線や溝などの横幅。小さな線幅を作る能力は重要だが、製品の性能をそれだけで比較することはできない。
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ノード
半導体製造技術の世代を表す区分。2nmなどの名称は世代名であり、現在は特定の線幅がその数値であることを意味しない。
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素子
電流を制御する、光を受けるなど、特定の働きをする基本的な電子部品。デバイスは素子や、それを組み合わせた部品を指す。
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配線
素子や端子の間へ信号・電源を運ぶ金属の通り道。半導体内部では、多数の細い配線を何層にも分けて作る。
説明が登場する第12章「配線・CMP」へ
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EDA
Electronic Design Automation。回路の設計や動作確認、素子の配置・配線などを支援する専用ソフトウェア。
説明が登場する第2章「設計・EDA・IP」へ
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IP
Intellectual Property。ここでは、再利用できる回路の設計部品を指す。完成した物理チップではなく、設計へ組み込む「ひな型」に近い。
説明が登場する第2章「設計・EDA・IP」へ
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CPU
Central Processing Unit。プログラムの命令を実行し、計算や機器全体の制御を担う中心的な処理回路。
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パッケージ
ダイを保護し、外部との電気接続や放熱を担う構造。先端パッケージは、複数ダイの高密度な接続などを実現する高度な組立技術を含む。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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基板
回路や部品を作る・載せるための土台。材料工程の「半導体基板」と、組立で使う「パッケージ基板」は別物なので、文脈を区別する。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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CPUコア
CPUの中で、命令を読み取り計算などを実行する中心的な回路の単位。1つのCPUに複数のコアを載せる構成もある。基板の中心層を指す「コア」とは別の意味。
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工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
インターフェース
部品どうしが信号をやり取りする接点や、その方法・規則。I/OはInput/Outputの略で「入出力」を意味する。
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メモリ
情報を保持し、必要なときに読み出す回路・部品。電源を切ると失う方式と、切っても保持する方式がある。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
PDK
Process Design Kit。特定の製造工程で作れる形状、素子の動作モデル、配線の制約などをまとめた設計用情報・ツール一式。設計と工場をつなぐ。
説明が登場する第2章「設計・EDA・IP」へ
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トランジスタ
電気信号によって電流を制御する素子。オン／オフを切り替えるスイッチとしても、小さな信号を大きくする増幅器としても使う。
説明が登場する第1章「製品の役割」へ
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工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
量産認定
材料・工程・製品が要求仕様を満たし、継続して製造・出荷できるかを顧客などが確認すること。試作品が一度動いた段階とは異なる。
説明が登場する第6章「製造を担う会社」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
前工程
主にウェーハ上へ素子と配線を作り込む工程。回路を作る段階であり、完成ダイを組み立てる段階とは分けて考える。
説明が登場する第6章「製造を担う会社」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
Fab（ファブ）
Fabrication facilityの略で、半導体を製造する工場。Fablessの「less」は、そうした自社製造工場を持たないという意味。
説明が登場する第6章「製造を担う会社」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
FEOL
Front End of Line。ウェーハ上でトランジスタなどの素子を作る段階。日本語でいう前工程の、さらに前半側を指す。
説明が登場する第12章「配線・CMP」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
MOL
Middle of Line。作った素子を、その上の金属配線へつなぐ接点などを形成する段階。境界の定義は企業・技術によって少し異なる。
説明が登場する第12章「配線・CMP」へ
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封止
樹脂などでダイや接続部を保護し、湿気・汚れ・外力などの影響を抑えること。必要な保護の範囲や材料は製品ごとに違う。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
後工程
主にダイの切り分け、組立、接続、保護、試験を行い、使用できる部品に仕上げる工程。先端実装では前工程に似た加工も使う。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
BEOL
Back End of Line。素子をつなぐ多層の金属配線を作る段階。「Back End」とあっても、組立・封止の後工程ではなく、ウェーハ前工程の一部。
説明が登場する第12章「配線・CMP」へ
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接合
2つの材料や部材をつなぐこと。実装では電気的・機械的な接続を指す。材料の性質や表面状態に合わせ、熱、圧力、金属、樹脂などを使い分ける。
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工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
GPU
Graphics Processing Unit。多数の似た計算を並行して処理する回路。画像処理だけでなく、AIなどの大量計算にも使う。
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ロジック
0と1で表した情報を使い、計算・判断・制御を行う回路。CPUやGPUはロジック半導体の代表例。
説明が登場する第1章「製品の役割」へ
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DRAM
Dynamic Random Access Memory。小さな蓄電部にためた電気で情報を保つメモリ。電源が必要で、情報を保つため定期的に読み直して書き戻す。
説明が登場する第1章「製品の役割」へ
出典・確認範囲
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NAND
ここではNAND型フラッシュメモリの略。電源を切っても情報を保てる記憶回路で、大容量の保存装置に広く使う。
説明が登場する第1章「製品の役割」へ
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工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
アナログ
電圧など連続して変化する量を、その変化として扱う方式。音・温度・電波など実世界の信号の増幅や変換に使う。
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工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
センサ
光、温度、加速度などを検出し、扱いやすい電気信号へ変える部品。
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工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
パワー半導体
電力の流れを切り替えたり変換したりする半導体。情報の計算よりも、電圧・電流を効率よく扱うことが主目的。
説明が登場する第1章「製品の役割」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
SiC
Silicon Carbide、炭化ケイ素。シリコンと炭素からなる半導体材料で、高い電圧や温度への対応を狙う電力用部品などに使う。
出典・確認範囲
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絶縁膜
電流が意図しない場所へ流れるのを防ぐための薄い層。絶縁は電気を通しにくくすること。
説明が登場する第7章「成膜」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
電極
外部から電圧をかけたり、電流を出し入れしたりするための導電部分。ゲート電極や接続端子など、場所によって役割が異なる。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
ゲート／ソース／ドレイン／チャネル
MOSFETの基本構造。ゲートは電流を制御する電極、ソースとドレインは電流経路の両端、チャネルはその間にできる電流の通り道。
説明が登場する第10章「注入・熱処理」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor。絶縁膜を挟んだゲートの電圧で、ソースとドレインの間に電流を流す・止めるトランジスタ。
説明が登場する第10章「注入・熱処理」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
RF・高周波
RFはRadio Frequency。無線通信などで使う速く変化する信号の領域を指す。ここでいう高周波デバイスは、その信号の増幅・切替などを行う部品。
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GaN
Gallium Nitride、窒化ガリウム。高速な電力制御、高周波、発光などに使う半導体材料。図のGaN-on-SiはSi基板上のGaN、GaN-on-SiCはSiC基板上のGaNを意味する。活性層は主要な電気・光の働きを担う層で、土台の基板と区別する。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
IGBT／ダイオード
IGBTはInsulated Gate Bipolar Transistorで、高い電圧・大きな電流の制御に使う素子。ダイオードは基本的に一方向へ電流を流しやすい素子。
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LED
Light Emitting Diode、発光ダイオード。電流を流して光を出す半導体素子。
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レーザー
光を増幅し、波長や方向のそろった光を出す装置・素子。半導体レーザーは光通信の光源などに使う。
出典・確認範囲
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GaAs
Gallium Arsenide、ヒ化ガリウム。ガリウムとヒ素からなる半導体材料で、高周波部品や光を出す・受ける部品に使う。
出典・確認範囲
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InP
Indium Phosphide、リン化インジウム。インジウムとリンからなる半導体材料で、光通信の発光・受光部品などに使う。
出典・確認範囲
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集積回路（IC）
多数の素子と、それらをつなぐ配線を小さな領域にまとめた回路。ICはIntegrated Circuitの略。多数の機能を小さくまとめる土台となる。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
酸化・熱酸化
酸素との反応を利用すること。シリコンの熱酸化は、加熱した表面を酸素や水蒸気と反応させて酸化膜を作る代表的な方法。
説明が登場する第7章「成膜」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
酸化膜
材料と酸素の化合物でできた薄膜。シリコン表面の二酸化ケイ素（SiO₂）は、絶縁や表面保護などに使う代表例。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
界面
異なる材料・層が接する境界。境界に欠陥や汚れがあると、電流の制御や接着などに影響する。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
耐圧
部品や絶縁構造が、破壊や許容外の電流を起こさずに耐えられる電圧。高耐圧とは、より高い電圧に対応すること。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
バンドギャップ
電子が電流を運べる状態へ移るために越える必要があるエネルギーの隔たり。広さは耐圧や発光などの性質に関係するが、製品性能を単独では決めない。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
エピタキシャル成長
土台の結晶の並び方を引き継いで、その上へ新しい結晶の層を育てること。「エピ」はこの成長法や、作った層の略称。
説明が登場する第4章「ウェーハ加工」へ
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スイッチング
電流の通り道をオン／オフで切り替えること。切替の途中にも電力を失うため、速さと損失の両方が重要。
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化合物半導体
2種類以上の元素を組み合わせた半導体材料。SiC、GaN、GaAs、InPなどを含み、用途に応じて異なる特性を使い分ける。
出典・確認範囲
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移動度
電気的な力を受けた電子などが、材料の中をどれだけ動きやすいかを示す量。
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工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
電界・絶縁破壊電界
電界は電荷に力を与える電気的な場。絶縁破壊電界は、材料が電圧を支えられず急に大きな電流を流し始める限界の目安。耐えられる電圧自体は構造にも依存する。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
熱伝導率
材料の中で熱がどれだけ伝わりやすいかを示す量。大きいほど熱を逃がしやすいが、実際の放熱は形状や接合部にも左右される。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
n型／p型／正孔
n型は主に電子、p型は主に正孔が電流を運ぶ材料。正孔は電子の空席を正の電荷のように扱う考え方。「n+」の＋は通常、添加濃度が高いことを表す。
説明が登場する第10章「注入・熱処理」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
デジタル
電圧などを連続した値のままではなく、区切った状態として扱う方式。通常の論理回路では0と1の2状態を使う。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
nMOS／pMOS／CMOS
nMOSは主に電子、pMOSは主に正孔を使うMOSFET。CMOS（相補型MOS）は両者を組み合わせる回路方式で、デジタル回路の基本となる。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
高k膜・高誘電率膜
同じ厚さでも電気を蓄える能力が高い絶縁膜。kは比誘電率を表す。膜を極端に薄くしなくても必要な電気的働きを得るために使う。
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
ドーピング
半導体へ少量の別元素を意図的に加え、電気の通し方を調整すること。ここでの「不純物」は設計上必要な添加物も含み、汚れとは限らない。
説明が登場する第10章「注入・熱処理」へ
出典・確認範囲
工程の説明と企業の製品情報に用いた資料です。関連企業の掲載は、特定の顧客への採用・取引額・供給比率を意味しません。
ADC／DAC
ADCはAnalog-to-Digital Converterで、連続した電気信号を数値へ変換する回路。DACはその逆に、数値から電圧などの信号を作る回路。
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SoC
System on a Chip。計算、記憶、通信など、システムに必要な複数の機能を1つのチップへ集積したもの。
説明が登場する第2章「設計・EDA・IP」へ
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電源IC
必要な電圧を作る、電源の供給順を制御するなど、機器への電力供給を管理する集積回路。大電流を直接扱うパワー素子とは役割が重なる場合もある。
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イメージセンサ
光を電気信号へ変え、画像として読み出す部品。画素は画像の明暗や色をとらえる小さな検出単位。
説明が登場する第1章「製品の役割」へ
出典・確認範囲
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MEMS
Micro Electro Mechanical Systems。半導体の微細加工を応用して、微小な可動部・膜・空洞などと電気回路を組み合わせる技術・部品。
説明が登場する第1章「製品の役割」へ
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光変調器・導波路・受光器
変調器は光の強さや位相などを変えて情報を載せる部品。導波路は光を導く通り道。受光器は光を電気信号に変える部品で、フォトダイオードはその代表例。
出典・確認範囲
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SRAM
Static Random Access Memory。電源が入っている間、回路の状態として情報を保つ高速メモリ。主に処理回路の近くの小容量記憶に使う。
出典・確認範囲
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ASIC
Application-Specific Integrated Circuit。特定の用途に合わせて設計した専用の集積回路。用途に合わせて機能や効率を最適化する。
出典・確認範囲
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キャッシュ／レジスタ
どちらも演算回路の近くで情報を保持する場所。キャッシュは再利用しそうなデータの控え、レジスタは実行中の計算に直接使う極めて小さな記憶領域。
出典・確認範囲
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帯域
ここでは単位時間に転送できるデータ量。保管できる量を表す「容量」とは別で、待ち時間の短さとも同じではない。
出典・確認範囲
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HBM
High Bandwidth Memory。複数のDRAMダイを積み、多数の信号線でデータをやり取りする広帯域メモリ。GPUなどの近くで大量データを供給するために使う。
説明が登場する第17章「先端実装・HBM」へ
出典・確認範囲
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リフレッシュ
DRAMで、時間とともに減る電荷を補うため、記憶情報を定期的に読み直して書き戻す動作。
出典・確認範囲
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揮発性／不揮発性
揮発性は電源を切ると情報を失う性質、不揮発性は電源を切っても情報を保持する性質。ここでは液体が蒸発するという意味ではない。
出典・確認範囲
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SSD／ストレージ
ストレージは長期保存用の装置。SSD（Solid State Drive）は主にNANDと制御回路を組み合わせた保存装置で、NANDそのものとは異なる。
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MCU
Microcontroller Unit。計算回路、記憶回路、入出力などをまとめ、機器を制御する小型のコンピュータ。マイコンとも呼ぶ。
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セル
情報を記憶する回路の基本単位。セルを多数並べて大容量のメモリを作る。1セルが記憶する情報量は方式によって異なる。
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微細化
素子や配線などの寸法を小さくすること。同じ面積へ多く詰め込める一方、小さくすることで電気・熱・加工の新たな制約も生じる。
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キャパシタ
コンデンサとも呼ぶ、電荷をためる構造。DRAMでは、たまっている電荷の違いで情報を表す。
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DDR／LPDDR／GDDR
DRAMの入出力方式・製品系列。DDRは一般的な主記憶、LPDDRは低消費電力、GDDRは画像処理などの高速転送を主に重視する。
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しきい値電圧
トランジスタに電流が流れ始める目安となるゲート電圧。NANDでは、この値の違いを記憶状態の判定に利用する。
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多値化
1つのセルで区別する状態数を増やし、記憶できる情報量を増やすこと。限られた電圧範囲の中で、状態をより細かく見分ける必要がある。
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誤り訂正
記憶・転送中に生じるデータの誤りを、追加の情報を使って検出・修正する仕組み。許容できる誤りの範囲には限界がある。
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ビア
上下の配線や構造を電気的につなぐための穴・接続部分。穴に金属を入れるなどして導通させる。
説明が登場する第12章「配線・CMP」へ
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コンタクト
素子と金属配線などを電気的につなぐ接点。小さくしても電流が流れやすい接点を作ることが重要。
説明が登場する第12章「配線・CMP」へ
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素子分離／ウェル
素子分離は隣の素子へ不要な電流が流れないよう区切る構造・工程。ウェルは必要なn型・p型の特性を持たせた、土台内の領域。
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成膜
材料の表面へ、非常に薄い層を作ること。電気を通す金属膜、通しにくい絶縁膜、半導体膜などを目的別に形成する。
説明が登場する第7章「成膜」へ
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エッチング
残したい部分を保護し、不要な材料を薬液や反応性ガスなどで取り除く加工。単に機械の刃で削ることとは異なる。
説明が登場する第9章「エッチング」へ
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熱処理／アニール
材料を加熱して、結晶の傷みの回復、添加物の働きの調整、膜の性質の改善などを行う工程。
説明が登場する第10章「注入・熱処理」へ
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イオン注入
電気を帯びた原子などを加速して半導体へ打ち込み、添加物の深さや量を調整する工程。後の熱処理と組み合わせて電気特性を作る。
説明が登場する第10章「注入・熱処理」へ
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接触抵抗・配線抵抗
抵抗は電流の流れにくさ。接触抵抗は材料が接する部分、配線抵抗は金属の通り道で生じる抵抗で、損失や遅延の原因になる。
説明が登場する第12章「配線・CMP」へ
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CMP
Chemical Mechanical Polishing（Planarizationともいう）。薬液による化学反応と研磨材の機械的作用を併用し、表面の余分な膜や凹凸を取り除く工程。
説明が登場する第12章「配線・CMP」へ
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薄化
ウェーハやダイの裏側などを削り、厚みを薄くすること。積層しやすくなる一方、反りや破損への対策が必要。
説明が登場する第15章「薄化・ダイシング」へ
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ダイシング
ウェーハなどを1個ずつのダイ・部品へ切り分ける工程。刃やレーザーなどを使う。個片化も同じ趣旨の言い方。
説明が登場する第15章「薄化・ダイシング」へ
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Planar／FinFET／GAA
ゲートとチャネルの構造の違い。Planarは平面型、FinFETは板状に立つチャネルを囲う型、GAAはGate-All-Aroundの略でチャネル全周をゲートで囲う型。
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ナノシート
非常に薄い板状のチャネル。これを横に何段か重ね、各板の周囲をゲートで囲む構造がGAAの代表例。
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短チャネル効果
ソースとドレインの距離が短くなり、ゲートだけでは電流を十分制御しにくくなる現象。立体的なゲート構造はその抑制を狙う。
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リーク
止めたいはずの電流が少量流れること。消費電力の増加や、記憶した電荷の減少などにつながる。
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寄生容量・配線容量
意図せずできる、電荷を蓄える働き。隣接配線の間などに生じ、信号の切替を遅らせたり電力を使ったりする。記憶できるデータ量の「容量」とは別。
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メタルゲート
ゲート電極に金属を使う構造。高k絶縁膜などと組み合わせ、電気特性を調整する。
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裏面電源供給
主に信号配線を置く側とは反対の、ダイ裏面側から電源を供給する構造。信号の配線と電源の配線を分担させる。
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ピッチ
隣り合う線や端子などの中心から中心までの間隔。線自体の幅とは異なる。
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PPA
Performance・Power・Area、すなわち性能・消費電力・面積。同じ比較条件の下で、速さ、電力、小ささの釣合いを見る指標。
説明が登場する第2章「設計・EDA・IP」へ
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歩留まり
投入したもののうち、決められた品質条件に合格した良品の割合。例えば100個中90個が合格すれば90%。どの工程の合格率かを区別する。
説明が登場する第13章「計測・欠陥検査」へ
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ムーアの法則
集積回路に載るトランジスタ数が、おおむね2年で倍増してきたという経験則。性能倍増やコスト半減を必ず保証する物理法則ではない。
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電力則（デナード則）
寸法と電圧を一定の割合で縮めれば、集積密度を上げても電力密度を保てる、という比例縮小の考え方。電圧を十分に下げられなくなると成り立ちにくい。
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露光
光を当て、感光する材料の性質を必要な形に変える工程。光で直ちにシリコンへ溝を掘るわけではない。
説明が登場する第8章「塗布・露光・現像」へ
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フォトマスク
転写したい回路のパターンを持つ原版。露光装置を通じて像をウェーハ上へ写す。物理的に押し付けるハンコではない。
説明が登場する第5章「フォトマスク」へ
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1T1C
1個のトランジスタ（T）と1個のキャパシタ（C）で1つの記憶セルを構成する、代表的なDRAMの構造。
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ワード線／ビット線／センスアンプ
メモリ配列の基本要素。ワード線は読み書きする行を選び、ビット線はデータを運び、センスアンプは小さな電気信号を増幅して状態を見分ける。
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アスペクト比
穴の深さや柱の高さを、幅で割った比率。深さ100・幅10なら10。高いほど「細くて深い／高い」形になり、加工や均一な成膜が難しくなる。
説明が登場する第9章「エッチング」へ
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CD・重ね合わせ（Overlay）
CD（Critical Dimension）は線幅などの重要寸法。重ね合わせは今回作る模様を既存の層へ正確に合わせること。細く作れても位置がずれると接続できない。
説明が登場する第8章「塗布・露光・現像」へ
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bit・byte・Gb・GB
bitは0か1を表す情報の単位で、8bit＝1byte。小文字bはbit、大文字Bはbyte。製品仕様でGは通常10億、Tは1兆を表すため、GbとGBを混同しない。
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TSV
Through-Silicon Via。シリコンの厚みを貫く、金属などによる縦方向の電気接続。積層ダイ間や、表面と裏面をつなぐために使う。
説明が登場する第17章「先端実装・HBM」へ
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KGD・既知良品
Known Good Die。組立前の試験で、必要な仕様に合格したと判断したダイ。すべての将来故障を完全に否定した、という意味ではない。
説明が登場する第14章「ウェーハテスト」へ
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3D NAND
記憶セルを平面に並べるだけでなく、縦方向にも多数配置して大容量化するNAND。完成ダイを積み重ねるHBMとは、積層する対象が異なる。
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SLC／MLC／TLC／QLC
通常、1セルへ1／2／3／4bitを記憶する方式。必要な状態数は2／4／8／16で、保存量を増やすほど状態を細かく見分ける必要がある。
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アレイ／周辺回路
アレイは同じ素子やセルを並べた領域。周辺回路は、その中から読み書きする場所を選ぶ、信号を判定するなど、アレイを動かす回路。
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CBA
CMOS directly Bonded to Array。NANDの記憶セルの集まりと、制御・読み書きの周辺回路を別々に作り、直接接合して組み合わせる技術。
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導通損失／スイッチング損失
導通損失はオン中に電流を流すことで失う電力、スイッチング損失はオン／オフの切替中に失う電力。効率を見る際は両方を考える。
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線形性・雑音
線形性は入力に対して出力が比例し、信号をゆがめにくいこと。雑音（ノイズ）は本来の情報に混ざる不要な信号で、弱い信号ほど影響を受けやすい。
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PA／LNA／ミキサ
PAはPower Amplifierで送信信号の電力を増幅する回路。LNAはLow Noise Amplifierで弱い受信信号を低雑音で増幅する回路。ミキサは信号の周波数を変換する回路。
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HEMT／HBT
HEMTはHigh Electron Mobility Transistorで、異なる半導体の境界を使う高電子移動度トランジスタ。HBTはHeterojunction Bipolar Transistorで、異種半導体を接合し電子と正孔の双方を利用する型。高周波用途などで使う。
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SOI／SiGe
SOIはSilicon on Insulatorで、絶縁膜の上に薄いシリコン層を置く構造。SiGeはシリコンとゲルマニウムを組み合わせた半導体材料。
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シリコンフォトニクス
シリコン加工技術を使い、光の通り道や変調器などを集積する技術。光を発する部分には別材料・外部光源を組み合わせる場合がある。
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裏面照射
イメージセンサで、配線がある側とは反対側から光を入れる構造。画素へ光を届きやすくすることを狙う。
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単結晶・多結晶
単結晶は原子の規則的な並びが全体でそろった結晶、多結晶は向きの異なる結晶の集まり。並びの方向を結晶方位、乱れを結晶欠陥という。
説明が登場する第3章「原料・結晶」へ
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石英るつぼ／種結晶
石英るつぼは原料を溶かすための高純度容器。種結晶は原子の並びの基準となる小さな結晶で、それに続く形で大きな結晶を育てる。
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CZ法／FZ法
CZはチョクラルスキー法で、溶かした原料から種結晶を引き上げて育てる方法。FZはフローティングゾーン法で、棒状原料の一部を溶かす領域を移動させて単結晶化する方法。
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インゴット
結晶を育ててできた大きな塊。シリコンウェーハでは、主に円柱状の単結晶インゴットを薄く切って円板にする。
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面取り・ラップ・鏡面研磨
面取りは端を丸めて欠けを防ぐ加工、ラップは研磨材で厚さ・平面を整える加工、鏡面研磨は表面を非常に滑らかに仕上げる加工。ポリッシュドウェーハは鏡面研磨したウェーハ。
説明が登場する第4章「ウェーハ加工」へ
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加工変質層／損傷層
切断や研削などで結晶が傷み、元の状態から変わった表面付近の層。後の工程へ悪影響を残さないよう除去・改善する。
説明が登場する第4章「ウェーハ加工」へ
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抵抗率
材料自体の電流の流れにくさを示す量。部品の長さや太さで変わる抵抗値とは分けて考える。添加物の種類や濃度などで調整する。
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フォトレジスト
光などの照射で薬液への溶けやすさ等が変化する感光材料。ウェーハに塗り、加工したい場所を選び分けるために使う。
説明が登場する第8章「塗布・露光・現像」へ
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研磨パッド／スラリー
研磨パッドは表面をこする側の部材。スラリーは微粒子や薬液を含む研磨用の液体。両者と加工条件の組合せで仕上がりが変わる。
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パージ／自己停止反応
パージは不要なガスや反応生成物を追い出す操作。自己停止反応は、表面の反応できる場所が埋まると進みにくくなる反応で、ALDの膜厚制御に利用する。
説明が登場する第7章「成膜」へ
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CVD／ALD／PVD
薄膜を作る方式。CVD（化学気相成長）はガスの化学反応、ALD（原子層堆積）は自己停止する表面反応の繰返し、PVD（物理気相堆積）は物理的に飛ばした材料の付着を使う。
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リソグラフィ
回路の形を、光などで感光膜へ写して加工位置を決める技術。計算リソグラフィは、光学・材料・加工の影響を計算して狙いの形へ近づける手法。
説明が登場する第8章「塗布・露光・現像」へ
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ウェーハソート
切り分ける前のウェーハ上で、各ダイの電気特性などを確認し選別する試験。外観の欠陥検査とは異なる。
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拡散／活性化
拡散は原子が材料内を移動して分布が変わること。活性化は添加した元素を電気的に働ける状態にすること。熱処理で両方が起こり得る。
説明が登場する第10章「注入・熱処理」へ
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現像
光を当てた後、溶けやすさの変わった感光膜の一部を薬液で取り除き、残す部分と開口部を作る工程。
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ポジ型／ネガ型
レジストの分類。一般にポジ型は光が当たった部分が現像で取れ、ネガ型は光が当たった部分が残る。
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プリベーク／PEB
ベークは加熱処理。プリベークは主に塗布後の溶剤除去など、PEB（Post-Exposure Bake）は露光後の反応調整などを目的とする。
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露光フィールド
露光装置が1回のまとまった投影で写す範囲。単一または複数のダイが含まれ、ウェーハ上で位置を変えながら繰り返す。
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ロット
同じ管理単位としてまとめて扱うウェーハや材料の一群。ロット間の違いは製造の安定性を見る指標になる。
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マスクブランクス
回路の模様をまだ描いていないフォトマスクの原材料。平らな基板と、遮光・反射などを担う膜からなる。
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DUV／EUV
露光に使う光の区分。DUVはDeep Ultraviolet（深紫外線）、EUVはExtreme Ultraviolet（極端紫外線）。半導体用EUVは波長13.5nmで、反射型の光学系を使う。
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ArF／i線
露光光源の呼び名。ArFはフッ化アルゴンのレーザーによる波長193nm、i線は水銀ランプの波長365nmの光。EUVより長い波長の露光でも多くの工程を担う。
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位相制御膜
光の波の進み具合をずらし、隣り合う光の強め合い・打消し合いを利用して像を鮮明にするための膜・制御。
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反射多層膜／吸収体
EUVマスクで、反射多層膜は何層もの膜を重ねて光を反射させる部分。吸収体は光を吸収して、転写する模様を作る部分。
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OPC／ILT
OPCは光学近接効果補正で、写したときの形のゆがみを見越して原版を補正する。ILTはInverse Lithography Technologyで、望む転写像から逆算して原版の形を最適化する。
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電子線描画
細い電子のビームで感光材料へ模様を書き込む方法。フォトマスクの製造などで使い、ウェーハを光で露光する装置とは別。
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ペリクル
マスクの近くへ張る薄い保護膜。粒子がマスクの模様の面へ直接付くことを抑え、転写への影響を小さくする。
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多重パターニング
1回では作れない細かな模様を、複数回の露光・加工や間隔を分割する加工を組み合わせて作る方法。実際のマスク枚数は採用方式に依存する。
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前駆体
化学反応を起こして目的の膜を作るための原料。成膜後に残る物質と同じとは限らず、不要な反応生成物は除去する。
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プラズマ
気体の一部が、電気を帯びた粒子と電子に分かれた状態。反応しやすい粒子などを生み、成膜や材料除去に使う。
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被覆性
凹凸や深い穴の側壁・底まで、必要な膜をどれだけ連続・均一に付けられるかという性質。
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スパッタリング／ターゲット
スパッタリングは固体へ粒子を衝突させ、飛び出した原子を表面へ付けて膜を作る方法。原子の供給源となる固体がターゲット。
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シード層／バリア層
シード層はめっきなどを始めるための薄い下地。バリア層は銅などが周囲の材料へ入り込むのを抑える薄膜。
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ドライ／ウェットエッチング
ドライは主に反応性ガスやプラズマ、ウェットは薬液を使って材料を除く方式。方向性、対象材料、損傷などに応じて使い分ける。
説明が登場する第9章「エッチング」へ
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選択比
取りたい材料と残したい材料の加工速度の比。例えば対象膜を10、下の膜を1の速さで削るなら10対1。高いほど下の材料を残しやすい。
説明が登場する第9章「エッチング」へ
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残渣／ボイド
残渣（ざんさ）は加工後に残った不要物。ボイドは埋めるべき部分などに生じた空隙。どちらも電気接続や信頼性を損なう原因になり得る。
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超純水
イオン、粒子、有機物などを極めて少なくした水。汚染に弱い半導体の洗浄などに使う。
説明が登場する第6章「製造を担う会社」へ
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チャンバークリーニング
チャンバーは加工を行う装置内部の部屋。チャンバークリーニングは壁などへ付着した膜・汚れを除き、加工状態を保つ作業。
説明が登場する第11章「洗浄・乾燥」へ
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Cu・W・Co・Ru
配線や接点などで見かける金属の元素記号。Cuは銅、Wはタングステン、Coはコバルト、Ruはルテニウム。使う場所は材料特性と工程で変わる。
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ダマシン
先に絶縁膜へ溝や穴を作り、そこを金属で埋め、表面の余分な金属をCMPで除く配線形成法。
説明が登場する第12章「配線・CMP」へ
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テスター／ATE
電気信号を与えて半導体の動作・特性を測る試験装置。ATEはAutomatic Test Equipment（自動試験装置）の略。
説明が登場する第13章「計測・欠陥検査」へ
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プローバ／プローブカード
プローバはウェーハを位置決めし試験用接点へ接触させる装置。プローブカードは多数の微小接点を持つ接触部材で、テスターと回路をつなぐ。
説明が登場する第13章「計測・欠陥検査」へ
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アンダーフィル
ダイと下側の構造などの狭い隙間を埋め、接合部にかかる力を分散して保護する材料。主に樹脂系で、封止材の一種。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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BT材料
ビスマレイミド・トリアジン系樹脂を使う基板用材料の系統。樹脂を含む積層材料であり、完成した配線基板そのものではない。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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ABF
Ajinomoto Build-up Film。味の素の、基板の配線層どうしを絶縁するフィルム状材料。これ自体が完成したパッケージ基板ではない。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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枚葉／バッチ
枚葉（まいよう）はウェーハを基本的に1枚ずつ処理する方式、バッチは複数枚をまとめて処理する方式。処理速度や均一性などを考えて使い分ける。
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ダイボンド／ダイアタッチ
切り出したダイを基板や支持部材などへ固定する工程・技術。電気接続まで同時に行うかは方式によって異なる。
説明が登場する第15章「薄化・ダイシング」へ
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TCB／熱圧着
Thermo-Compression Bonding。位置を合わせた接続部へ熱と圧力を加えて接合する方法。接続用の突起そのものの名称ではない。
説明が登場する第17章「先端実装・HBM」へ
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ハイブリッド接合
金属同士の電気的な接合と、絶縁膜同士の接合を組み合わせる方法。はんだの突起を介さず、非常に細かい間隔での接続を狙える。
説明が登場する第17章「先端実装・HBM」へ
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Fabサイクルタイム
ウェーハを工場へ投入してから所定の加工を終えるまでの時間。実際の加工だけでなく、搬送・待機・検査なども含む。設計から量産までの開発期間とは別。
説明が登場する第6章「製造を担う会社」へ
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CoWoS
Chip-on-Wafer-on-Substrate。複数のダイを高密度の配線でつなぎ、さらに外部接続用の基板へ載せるTSMCの実装技術群。S・R・Lの構造差は第6部で図解する。
説明が登場する第17章「先端実装・HBM」へ
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2D／2.5D／3D
実装構造の区分。2Dは基板上に並べる、2.5Dは細かい中継配線を介して主に横につなぐ、3Dはダイ同士を縦に積む構造。実製品では併用もある。
説明が登場する第17章「先端実装・HBM」へ
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SoIC
System on Integrated Chips。TSMCの、ダイを縦に積んで高密度に接続する3D集積技術群。CoWoSなどと併用できる。小文字lではなく大文字I。
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Fan-In／Fan-Out
Fan-Inはダイ面積内で端子を配置し直す方式。Fan-Outはダイの外側まで配線を広げ、端子数や接続の自由度を増やす方式。
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InFO
Integrated Fan-Out。ダイの外側まで薄い配線層を広げ、端子や他のダイとの接続を作るTSMCの実装技術群。
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3DFabric
TSMCが示す先端実装技術の体系名。CoWoS、SoIC、InFOなどを組み合わせる枠組みで、単独の一つの接合法の名称ではない。
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RibbonFET／PowerVia
Intelの技術名。RibbonFETはGAA型トランジスタ、PowerViaは裏面から電源を供給する技術。製品名ではなく、製造技術の構成要素を表す。
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EMIB
Embedded Multi-die Interconnect Bridge。必要な場所だけに小さなシリコンの配線部材を埋め、横に並ぶダイをつなぐIntelの技術。
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Foveros
Intelの先端実装ブランド。従来はダイを縦に積む構造が中心だが、派生名によっては横接続の2.5Dも含む。具体的な構造を名称の後半まで確認する。
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eHV／BCD
eHVは高電圧を扱う素子を組み込む技術群。BCDはBipolar（電子と正孔を利用する素子）、CMOS、DMOS（二重拡散型MOSFET）を同じチップへ組み合わせ、制御と電力処理などを担わせる技術。
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組込み不揮発メモリ
制御用チップなどの内部へ作り込み、電源を切ってもプログラムや設定を保持する記憶回路。外付けの保存装置とは位置づけが異なる。
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パイロットライン
量産前に、実際の装置・工程を使って性能、品質、生産性などを検証する試作製造ライン。稼働しただけで大量出荷が始まったとは限らない。
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HDD
Hard Disk Drive。回転する磁気ディスクへ情報を記録する保存装置。半導体メモリで保存するSSDとは原理が違う。
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GB/s・Gb/s per pin
GB/sは1秒当たりの転送量をbyteで、Gb/s per pinは信号端子1本当たりの速度をbitで表す。単位だけでなく、端子数と実際の利用効率も確認する。
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ASP／bit単価
ASPはAverage Selling Price（平均販売価格）。bit単価は記憶容量1bit当たりの価格。容量や製品構成が変わるため、製品1個のASPと同じ動きとは限らない。
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8H・12H
HBMで通常、積層するDRAMダイが8段・12段であることを表す。最下段の制御・接続用ダイを同じ数へ混ぜない。
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リードフレーム
ダイの支持部と外部接続端子を形成する金属の枠。樹脂で封止した後に不要な部分を切り離す構造などで使う。
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ワイヤーボンド
ダイの端子と外部へつながる端子を、細い金属線で結ぶ接続方式。その金属線がボンディングワイヤ。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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硬化
樹脂などが化学反応によって固まり、必要な強度や接着性を持つ状態になること。単に冷えて固くなることとは区別する。
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バーンイン
温度や電圧などの負荷をかけ、初期故障を試験中に表面化させる方法。必要性や条件は製品・用途・顧客仕様で異なる。
説明が登場する第18章「最終試験・出荷」へ
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ウェーハマウント
ウェーハを保護・支持用のテープやフレームへ固定すること。ダイを最終的な基板へ固定するダイアタッチとは段階が違う。
説明が登場する第15章「薄化・ダイシング」へ
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フリップチップ
ダイの回路面を下向きにし、面上に並べた端子で下の基板などへ接続する方式。周辺の金属線を使う方式と区別する。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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バンプレス
はんだなどの突起を介さず接続する構成。Cu-Cuは銅同士の直接接合を指し、ハイブリッド接合では周囲の絶縁膜も併せて接合する。
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モールド
型などを使い、樹脂でダイや接続部を包んで保護する封止方法。すべてのパッケージが同じ範囲を同じ樹脂で覆うわけではない。
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トリム＆フォーム
トリムは金属枠の不要部の切断、フォームは外部接続用リードの成形。主にリードフレーム型で使い、全パッケージ共通の工程ではない。
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BGA／FC-BGA
BGAはBall Grid Arrayで、底面へボール状端子を格子状に並べたパッケージ。FC-BGAは内部のダイ接続にフリップチップを使うBGA。
説明が登場する第16章「接合・基板・封止」へ
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信頼性試験
長期間の動作や温湿度・熱変化などへの耐性を評価する試験。今正常に動くかを見る電気試験とは目的が異なる。
説明が登場する第18章「最終試験・出荷」へ
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WLP／CSP
WLPはWafer-Level Packageで、主にウェーハ単位で端子などを形成するパッケージ。CSPはChip-Size（Scale）Packageで、ダイに近い小型サイズを表す分類。
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バンプ／マイクロバンプ
接合部へ作る金属などの小さな突起。マイクロバンプは細かな接続に使う小型のバンプを指す。突起の形状の呼び名であり、接合法の名前ではない。
説明が登場する第17章「先端実装・HBM」へ
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応力／熱膨張差
応力は材料の内部に生じる、単位面積当たりの力。熱膨張は温度によって寸法が変わること。接合した材料の膨張量が違うと、接合部へ力がかかる。
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RDL
Redistribution Layer、再配線層。薄い絶縁層と金属配線で、端子の位置・間隔を変えたり、ダイ間をつないだりする構造。
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再構成ウェーハ／パネル
切り分けたダイを並べ直して樹脂などで一体化し、まとめて加工する土台。円板状なら再構成ウェーハ、長方形などの板状ならパネルと呼ぶ。
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仮接着／支持体
支持体は加工中の薄い部材を支える土台。仮接着は加工が終われば剥がせる形で一時固定すること。完成品に残る永久接着とは目的が異なる。
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ピックアップ
切り分けたダイをテープなどの支持体から取り上げ、次の組立工程へ渡すこと。薄いダイを傷めず取り出す技術が必要。
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ダイアタッチフィルム
ダイを基板などへ接着する薄いフィルム状材料。加工中だけ支える保護テープと違い、完成品の内部に残る使い方がある。
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フィラー
樹脂に混ぜ込む微小な粒子。熱による膨張、強度、熱の伝わり方などを調整するが、流れやすさにも影響する。
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有機基板
樹脂などの有機材料を主な絶縁材料とし、内部・表面に配線を持つ基板。シリコン製の中継部材と区別する。
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インターポーザ
ダイと外部接続用基板の間で、細かな配線を中継する部材。ダイ間の接続や端子間隔の変換を担い、シリコン製とは限らない。
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シリコンブリッジ
隣り合うダイをつなぐため、必要な場所だけに置く小さなシリコン製の配線部材。全面へ広げるインターポーザとは配置が違う。
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ベースダイ／アクティブ
ベースダイは積層構造の下側で支持や信号の接続・制御を担うダイ。アクティブは動作する回路を持つという意味で、受動的な配線だけの構造と区別する。
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チップレット
大きな機能を複数の小さなダイへ分け、高密度につないで1つのシステムとして使う設計の考え方、またはその構成ダイ。
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CoWoS-S／R／L
CoWoSの構造区分。Sは主に全面シリコンの中継部材、Rは樹脂と再配線層、Lは再配線層と局所的なシリコン接続を組み合わせる。
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リフロー
はんだを加熱して溶かし、冷えて固まることで接合する方法。熱と圧力で接合するTCBを必ず後続工程として加える、という意味ではない。
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スタック／プロトコル
スタックは積み重ねた構造。プロトコルはデータをやり取りする順序や規則。HBMの実効性能は積層形状だけでなく、こうした制御にも依存する。
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LSI（CoWoS-L）
ここでのLSIはLocal Silicon Interconnect。CoWoS-Lの再配線構造内へ置く局所的なシリコン接続部材。一般的な「大規模集積回路」のLSIとは別。
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ポリマー
同じような小さな分子単位が多数つながった高分子材料。ここでは配線の周囲を絶縁する樹脂などを指す。
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CoW／WoW／WoS
接合する単位を表す語。CoW（Chip on Wafer）はダイをウェーハへ、WoW（Wafer on Wafer）はウェーハ同士、WoS（Wafer on Substrate）はウェーハ側の複合体を基板へつなぐ段階を指す。
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TIM／リッド／ヒートスプレッダ
TIMはThermal Interface Material（熱界面材）で、接触面の隙間を埋めて熱を伝えやすくする。リッドはふた、ヒートスプレッダは熱を広い面へ逃がす部材。
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ビルドアップ層／コア
ビルドアップは配線と絶縁層を順に積み増して基板を作る方式。コアは中心の土台となる部分で、設計によってはコアを持たない構造もある。
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EMIB-T
EMIBの派生技術で、局所的なシリコンブリッジへTSVを追加する構成。従来型EMIBの説明をそのまま全派生へ当てはめない。
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Foveros Direct 3D
Intelの、銅同士と絶縁膜同士のハイブリッド接合を用いてダイを縦に接続する技術。従来のバンプ型と接合方法が違う。
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Foveros-S／Foveros-R
Intelの2.5D技術の名称。Sはシリコンの中継部材、Rは再配線層を基礎とする。Foverosという名前だけで縦積みと判断しない。
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X-Cube／3D Cube
Samsungの3D積層技術の名称。X-Cubeは従来の呼称で、現在の整理では3D Cubeの接合法などを分けて読む。
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Cube-T／Cube-H
Samsungの3D Cubeの区分。Tは熱圧着（TCB）、HはハイブリッドCu接合を用いる技術。
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2.xD Cube
Samsungの、主に横方向へダイを統合する実装技術群。シリコンの中継部材、埋込みブリッジ、再配線層などの構成を含む。
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PoP／oS
PoPはPackage on Packageで、完成パッケージを上下に重ねる構成。oSはon Substrateで、基板上に載せる構成を表す。
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InFO-PoP／InFO-oS
InFOの派生構造。PoPは下段の処理回路を含む構造の上へメモリパッケージを載せる型、oSは再配線構造を有機基板上へ載せる型。
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アプリケーションプロセッサ
スマートフォンなどで、アプリや機器全体の処理を担う中心的なチップ。APと略し、CPUなど複数の機能を集積することが多い。
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TIV／C4
TIVはThrough InFO Viaで、InFOの樹脂領域などを通る縦接続。C4はControlled Collapse Chip Connectionで、はんだ突起によるフリップチップ接続の技術。TSVとは通る材料が違う。
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クロストーク
近くの配線を流れる信号が互いに影響し、意図しない信号が混ざること。配線を密にするほど、間隔や絶縁材料などを含む対策が重要になる。
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電源降下／同時切替
電源降下は配線抵抗などで届く電圧が下がること。同時切替は多くの回路が同時にオン／オフを変えることで、瞬間的な電流増加や電源の乱れを招く場合がある。
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熱抵抗
熱の流れにくさを表す量。小さいほど熱を逃がしやすい。材料の熱伝導率だけでなく、厚み、接触面積、界面などにも左右される。
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カバレッジ／グレード選別
試験カバレッジは、想定する動作・故障などをどこまで試験で確認できるかという範囲。グレード選別は速度や消費電力などの測定結果で製品を区分すること。
説明が登場する第14章「ウェーハテスト」へ
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KPI
Key Performance Indicator。事業や工程の進捗を追う主要な指標。半導体では投入量、良品数、歩留まり、稼働率などを目的に応じて選ぶ。
説明が登場する第18章「最終試験・出荷」へ
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名目能力／良品能力
名目能力は設備の仕様等からみた生産能力。良品能力は、実際に要求仕様へ合格する製品をどれだけ供給できるか。立上げ中は特に両者が異なる。
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